IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開(kāi)關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體化。又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低，開(kāi)關(guān)頻率高（可達(dá)20khz），這兩點(diǎn)非常顯著的特性，**近西門子公司又推出低飽和壓降（2.2v）的npt-IGBT性能更佳，相繼東芝、富士、ir,摩托羅拉亦已在開(kāi)發(fā)研制新品種。應(yīng)用編輯 IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。上海貿(mào)易模塊廠家直銷
可控硅模塊觸發(fā)電路時(shí)需要滿足的必定要求來(lái)源：日期：2019年06月26日點(diǎn)擊數(shù)：載入中...可控硅模塊的作用主要體驗(yàn)在電路中，在電路中經(jīng)常會(huì)見(jiàn)到可控硅模塊的身影，由此可見(jiàn)它的應(yīng)用是多么的強(qiáng)大，可控硅模塊的其中一個(gè)作用就是觸發(fā)電路，但是觸發(fā)電路時(shí)需要滿足三個(gè)必定條件，下面正高電氣帶您來(lái)看看這三個(gè)條件是什么？一、可控硅模塊觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖信號(hào)應(yīng)有足夠的功率和寬度為了使全部的元件在各種可能的工作條件下均能可靠的觸發(fā)，可控硅模塊觸發(fā)電路所送出的觸發(fā)電壓和電流，必須大于元件門極規(guī)定的觸發(fā)電壓UGT與觸發(fā)電流IGT的較大值，并且留有足夠的余量。另外，由于可控硅的觸發(fā)是有一個(gè)過(guò)程的，也就是可控硅觸發(fā)電路的導(dǎo)通需要一定的時(shí)間，不是一觸即通，只有當(dāng)可控硅的陽(yáng)極電流即主回路電流上升到可控硅的擎住電流IL以上時(shí)，管子才能導(dǎo)通，所以觸發(fā)脈沖信號(hào)應(yīng)有一定的寬度才能保證被觸發(fā)的可控硅可靠導(dǎo)通。例如：一般可控硅的導(dǎo)通時(shí)間在6μs左右，故觸發(fā)脈沖的寬度至少在6μs以上，一般取20～50μs，對(duì)于大電感負(fù)載，由于電流上升較慢，觸發(fā)脈沖寬度還應(yīng)加大，否則脈沖終止時(shí)主回路電流還未上升到可控硅的擎任電流以上，則可控硅又重新關(guān)斷。上海貿(mào)易模塊廠家直銷你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合體，IGBT具有 MOS 的輸入特性和BJT 管的輸出特性。
所述工裝槽321設(shè)置在向上翹起的所述端部上。這樣，所述壓緊部上設(shè)置有所述工裝槽的部分就不會(huì)貼合在igbt單管上，方便從所述工裝槽內(nèi)退出工裝。如圖1所示，可選的，所述igbt單管2的數(shù)量為一個(gè)以上，各所述igbt單管2成排設(shè)置在所述安裝板1上。本實(shí)施例中，應(yīng)當(dāng)理解的是，各所述igbt單管之間相互并聯(lián)，且各所述igbt單管之間的并聯(lián)方法屬于現(xiàn)有技術(shù)，例如：各所述igbt單管通過(guò)母線銅排相并聯(lián)，本實(shí)施例對(duì)各所述igbt單管之間的電連接關(guān)系不再贅述。各所述igbt單管成排布置，一方面方便對(duì)各所述igbt單管進(jìn)行辨認(rèn)和電連接，另一方面還便于各所述壓緊件的布置。如圖1和圖2所示，可選的，所述壓緊件3的數(shù)量與所述igbt單管2的排數(shù)相等，每個(gè)所述壓緊件3將其中一排所述igbt單管2抵壓在所述安裝板1上。本實(shí)施例，一個(gè)所述壓緊件可以將一排所述igbt單管抵壓在所述安裝板，可以**的提高所述igbt單管的安裝效率。如圖2所示，可選的，所述壓緊件3的連接板31呈長(zhǎng)條狀，所述壓緊件3包括一個(gè)以上的所述壓緊部32，各所述壓緊部32沿所述連接板31的長(zhǎng)度方向依次連接在所述連接板31的上端。本實(shí)施例，每個(gè)所述壓緊部下方可以安裝一個(gè)igbt單管，這樣，相比于將所述壓緊部做成長(zhǎng)條狀。
本實(shí)用新型涉及變流技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種igbt模塊。背景技術(shù)：目前，國(guó)外標(biāo)準(zhǔn)型的igbt模塊是由igbt(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與fwd(二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的igbt模塊直接應(yīng)用于變頻器、ups不間斷電源等設(shè)備上；igbt模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)，隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上越來(lái)越多見(jiàn)。然而，這種igbt模塊的成本較高，嚴(yán)重制約了國(guó)內(nèi)變流技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展。為了解決國(guó)外標(biāo)準(zhǔn)型igbt模塊成本較高的問(wèn)題，目前國(guó)內(nèi)出現(xiàn)了一種將igbt單管并聯(lián)后形成igbt模塊的方案，這種igbt模塊與國(guó)外相同技術(shù)參數(shù)規(guī)格下的標(biāo)準(zhǔn)型igbt模塊相比，成本要低15％～20％，進(jìn)而能夠促進(jìn)國(guó)內(nèi)變流技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展；但是，這種igbt模塊中的各igbt單管一般由螺釘固定在安裝板上，這就**降低了igbt模塊的生產(chǎn)效率。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于此，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種igbt模塊，能夠提高igbt模塊的生產(chǎn)效率。本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種igbt模塊，包括安裝板、以及布置在所述安裝板上側(cè)的igbt單管，所述安裝板上還連接有具有彈性的壓緊件，所述壓緊件將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上。可選的。要弄明白IGBT模塊，就要先了解新能源汽車的電驅(qū)系統(tǒng)。
200～1500V一次短路電流1～1200A1～200A±3%±1A；1～1200AVge柵極電壓10～30V10～+30V±1%±10～30V本測(cè)試單元包括動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試組成部分，主要組成材料及其要求如下所示。動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試部分主要材料清單表格12動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試部分組成序號(hào)組成部分單位數(shù)量1可調(diào)充電電源套12直流電容器個(gè)83動(dòng)態(tài)測(cè)試負(fù)載電感套14安全工作區(qū)測(cè)試負(fù)載電感套15補(bǔ)充充電回路限流電感L個(gè)16短路保護(hù)放電回路套17正常放電回路套18高壓大功率開(kāi)關(guān)個(gè)59尖峰抑制電容個(gè)110主回路正向?qū)ňчl管個(gè)211動(dòng)態(tài)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管個(gè)212安全工作區(qū)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管個(gè)313被測(cè)器件旁路開(kāi)關(guān)個(gè)114工控機(jī)及操作系統(tǒng)套115數(shù)據(jù)采集與處理單元套116機(jī)柜及其面板套117壓接夾具及其配套系統(tǒng)套118加熱裝置套119其他輔件套1動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試單元技術(shù)要求環(huán)境條件1)海拔高度：海拔不超過(guò)1000m；2)溫度：儲(chǔ)存環(huán)境溫度-20℃～60℃；3)工作環(huán)境溫度：-5℃～40℃；4)濕度：20%RH至90%RH(無(wú)凝露，濕球溫度計(jì)溫度:40℃以下)；5)震動(dòng)：抗地震能力按7級(jí)設(shè)防，地面抗震動(dòng)能力≤；6)防護(hù)：無(wú)較大灰塵，腐蝕或性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；1）可調(diào)充電電壓源用來(lái)給電容器充電，實(shí)現(xiàn)連續(xù)可調(diào)的直流母線電壓，滿足動(dòng)態(tài)測(cè)試、短路電流的測(cè)試需求。于是，就形成了各種各樣的IGBT單管和模塊。山東貿(mào)易模塊品牌
IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來(lái)為NPN)晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。上海貿(mào)易模塊廠家直銷
采用焊接或粘接等方式將主電極6、連接橋板5、絕緣體7以及底板l可靠的固定連接，外殼9則固定在底板1上，外殼9的頂部具有定位凹槽91。見(jiàn)圖1所示，本實(shí)用新型的主電極6為兩個(gè)以上折邊的條板，同樣經(jīng)彎曲后的主電極6也具有吸收和釋放機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力的特點(diǎn)，主電極6的內(nèi)側(cè)與連接橋板5固定連接，主電極6的另一側(cè)穿出外殼9并彎折后覆在外殼9頂部，而覆在外殼9頂部的主電極6上設(shè)有過(guò)孔61，該過(guò)孔61與殼體9上的定位凹槽91對(duì)應(yīng)，定位凹槽91的槽邊至少設(shè)有兩個(gè)平行的平面，可對(duì)螺母進(jìn)行定位，由于主電極6不受外力，可保證二極管芯片3不受外力影響，在定位凹槽91的下部設(shè)有過(guò)孔，保證螺栓不會(huì)頂在殼體9上，而下過(guò)渡層4、二極管芯片3、上過(guò)渡層2、連接橋板5、絕緣體7以及主電極6—側(cè)的外周灌注軟彈性膠8密封，將連接區(qū)域保護(hù)密封，***再用環(huán)氧樹(shù)脂灌注充滿殼體空間。權(quán)利要求1、一種非絕緣雙塔型二極管模塊，包括底板(1)、二極管芯片(3)、主電極(6)以及外殼(9)，其特征在于所述二極管芯片(3)的下端面通過(guò)下過(guò)渡層(4)固定連接在底板(1)上，二極管芯片(3)的上端面通過(guò)上渡層(2)與連接橋板(5)的一側(cè)固定連接，連接橋板(5)是具有兩個(gè)以上折彎的條板，連接橋板(5)的另一側(cè)通過(guò)絕緣體。上海貿(mào)易模塊廠家直銷
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