IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動功率小，控制電路簡單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點。實質(zhì)是個復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點于一體化。又因先進的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低，開關(guān)頻率高（可達20khz），這兩點非常顯著的特性，**近西門子公司又推出低飽和壓降（2.2v）的npt-IGBT性能更佳，相繼東芝、富士、ir,摩托羅拉亦已在開發(fā)研制新品種。應(yīng)用編輯 要弄明白IGBT模塊，就要先了解新能源汽車的電驅(qū)系統(tǒng)。陜西私人模塊
不*上橋臂的開關(guān)管要采用各自**的隔離電源，下橋臂的開關(guān)管也要采用各自**的隔離電源，以避免回路噪聲，各路隔離電源要達到一定的絕緣等級要求。3）在連接IGBT電極端子時，主端子電極間不能有張力和壓力作用，連接線（條）必須滿足應(yīng)用，以免電極端子發(fā)熱在模塊上產(chǎn)生過熱。控制信號線和驅(qū)動電源線要離遠些，盡量垂直，不要平行放置。4）光耦合器輸出與IGBT輸入之間在PCB上的走線應(yīng)盡量短，**好不要超過3cm。5）驅(qū)動信號隔離要用高共模抑制比（CMR）的高速光耦合器，要求tp《μs，CMR》l0kV/μs，如6N137，TCP250等。6）IGBT模塊驅(qū)動端子上的黑色套管是防靜電導(dǎo)電管，用接插件引線時，取下套管應(yīng)立即插上引線；或采用焊接引線時先焊接再剪斷套管。7）對IGBT端子進行錫焊作業(yè)的時候，為了避免由烙鐵、烙鐵焊臺的泄漏產(chǎn)生靜電加到IGBT上，烙鐵前端等要用十分低的電阻接地。焊接G極時，電烙鐵要停電并接地，選用定溫電烙鐵**合適。當(dāng)手工焊接時，溫度260℃±5℃，時間（10+1）s。波峰焊接時，PCB要預(yù)熱80~105℃，在245℃時浸入焊接3~4s。8）儀器測量時，應(yīng)采用1000電阻與G極串聯(lián)。在模塊的端子部測量驅(qū)動電壓（VGE）時，應(yīng)確認(rèn)外加了既定的電壓。浙江智能模塊進貨價1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。
200～1500V一次短路電流1～1200A1～200A±3%±1A；1～1200AVge柵極電壓10～30V10～+30V±1%±10～30V本測試單元包括動態(tài)參數(shù)測試組成部分，主要組成材料及其要求如下所示。動態(tài)參數(shù)測試部分主要材料清單表格12動態(tài)參數(shù)測試部分組成序號組成部分單位數(shù)量1可調(diào)充電電源套12直流電容器個83動態(tài)測試負(fù)載電感套14安全工作區(qū)測試負(fù)載電感套15補充充電回路限流電感L個16短路保護放電回路套17正常放電回路套18高壓大功率開關(guān)個59尖峰抑制電容個110主回路正向?qū)ňчl管個211動態(tài)測試?yán)m(xù)流二極管個212安全工作區(qū)測試?yán)m(xù)流二極管個313被測器件旁路開關(guān)個114工控機及操作系統(tǒng)套115數(shù)據(jù)采集與處理單元套116機柜及其面板套117壓接夾具及其配套系統(tǒng)套118加熱裝置套119其他輔件套1動態(tài)參數(shù)測試單元技術(shù)要求環(huán)境條件1)海拔高度：海拔不超過1000m；2)溫度：儲存環(huán)境溫度-20℃～60℃；3)工作環(huán)境溫度：-5℃～40℃；4)濕度：20%RH至90%RH(無凝露，濕球溫度計溫度:40℃以下)；5)震動：抗地震能力按7級設(shè)防，地面抗震動能力≤；6)防護：無較大灰塵，腐蝕或性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；1）可調(diào)充電電壓源用來給電容器充電，實現(xiàn)連續(xù)可調(diào)的直流母線電壓，滿足動態(tài)測試、短路電流的測試需求。
其中CGE是柵極-發(fā)射極電容、CCE是集電極-發(fā)射極電容、CGC是柵極-集電極電容或稱米勒電容（MillerCapacitor）。門極輸入電容Cies由CGE和CGC來表示，它是計算IGBT驅(qū)動器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies的值，在實際電路應(yīng)用中不是一個特別有用的參數(shù)，因為它是通過電橋測得的，在測量電路中，加在集電極上C的電壓一般只有25V(有些廠家為10V)，在這種測量條件下，所測得的結(jié)電容要比VCE=600V時要大一些(如圖2)。由于門極的測量電壓太低(VGE=0V)而不是門極的門檻電壓，在實際開關(guān)中存在的米勒效應(yīng)（Miller效應(yīng)）在測量中也沒有被包括在內(nèi)，在實際使用中的門極電容Cin值要比IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies值大很多。因此，在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies值在實際應(yīng)用中**只能作為一個參考值使用。贊賞共11人贊賞本站是提供個人知識管理的網(wǎng)絡(luò)存儲空間，所有內(nèi)容均由用戶發(fā)布，不**本站觀點。如發(fā)現(xiàn)有害或侵權(quán)內(nèi)容，請點擊這里或撥打24小時舉報電話：與我們聯(lián)系。轉(zhuǎn)藏到我的圖書館獻花（0）+1分享：微信QQ空間QQ好友新浪微博推薦給朋友來自：王利剛QWE>。封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。
IGBT單管和IGBT功率模塊PIM、IPM的區(qū)別是什么？作者：海飛樂技術(shù)時間：2018-04-1218:47IGBT功率模塊采用封裝技術(shù)集成驅(qū)動、保護電路和高能芯片一起的模塊，已經(jīng)從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到了智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM等。IGBT單管和IGBT功率模塊的定義不同：IGBT單管：分立IGBT，封裝較模塊小，電流通常在50A以下，常見有TO247、TO3P等封裝。IGBT模塊：塊化封裝就是將多個IGBT集成封裝在一起，即模塊化封裝的IGBT芯片。常見的有1in1,2in1,6in1等。PIM模塊：集成整流橋+制動單元（PFC）+三相逆變（IGBT橋）；IPM模塊：即智能功率模塊，集成門級驅(qū)動及保護功能（熱保護，過流保護等）的IGBT模塊。IGBT單管和IGBT功率模塊的結(jié)構(gòu)不同IGBT單管為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。P+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用。隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進，此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見。中國臺灣可控硅模塊
集電極和發(fā)射極是導(dǎo)通端子，柵極是控制開關(guān)操作的控制端子。陜西私人模塊
電子元器件制造業(yè)是電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)支撐產(chǎn)業(yè)。二十世紀(jì)九十年代起，通訊設(shè)備、消費類電子、計算機、互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用產(chǎn)品、汽車電子、機頂盒等產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，同時伴隨著國際制造業(yè)向中國轉(zhuǎn)移，中國大陸電子元器件行業(yè)得到了快速發(fā)展。從細(xì)分領(lǐng)域來看，隨著4G、移動支付、信息安全、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的發(fā)展，集成電路產(chǎn)業(yè)進入快速發(fā)展期;另外，LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模也在不斷擴大，半導(dǎo)體領(lǐng)域日益成熟，面板價格止跌、需求關(guān)系略有改善等都為行業(yè)發(fā)展帶來了廣闊的發(fā)展空間。伴隨我國電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)模的擴大，珠江三角洲、長江三角洲、環(huán)渤海灣地區(qū)、部分中西部地區(qū)四大電子信息產(chǎn)業(yè)基地初步形成。這些地區(qū)的電子信息企業(yè)集中，產(chǎn)業(yè)鏈較完整，具有相當(dāng)?shù)囊?guī)模和配套能力。在互聯(lián)網(wǎng)融合建設(shè)中，無論是網(wǎng)絡(luò)設(shè)備還是終端設(shè)備都離不開各種元器件。網(wǎng)絡(luò)的改造升級、終端設(shè)備的多樣化設(shè)計都要依托關(guān)鍵元器件技術(shù)的革新。建設(shè)高速鐵路，需要現(xiàn)代化的路網(wǎng)指揮系統(tǒng)、現(xiàn)代化的高速機車，這些都和電子元器件尤其是大功率電力電子器件密不可分。隨著新能源的廣泛應(yīng)用，對環(huán)保節(jié)能型電子元器件產(chǎn)品的需求也將越來越大。這都為相關(guān)的元器件企業(yè)提供了巨大的市場機遇。但是，目前我國的電子元器件產(chǎn)品，無論技術(shù)還是規(guī)模都不足以支撐起這些新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。未來幾年我國面對下游旺盛的需求新型電子元器件行業(yè)應(yīng)提升技術(shù)水平擴大產(chǎn)能應(yīng)對市場需求。陜西私人模塊
江蘇芯鉆時代電子科技有限公司位于昆山開發(fā)區(qū)朝陽東路109號億豐機電城北樓A201，擁有一支專業(yè)的技術(shù)團隊。在江蘇芯鉆時代近多年發(fā)展歷史，公司旗下現(xiàn)有品牌英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼等。我公司擁有強大的技術(shù)實力，多年來一直專注于一般項目：技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣；電子元器件批發(fā)；電子元器件零售；電子元器件與機電組件設(shè)備銷售；電力電子元器件銷售；電子設(shè)備銷售；電子測量儀器銷售；機械電氣設(shè)備銷售；風(fēng)動和電動工具銷售；電氣設(shè)備銷售；光電子器件銷售；集成電路芯片及產(chǎn)品銷售；半導(dǎo)體照明器件銷售；半導(dǎo)體器件設(shè)備銷售；半導(dǎo)體分立器件銷售；集成電路銷售；五金產(chǎn)品批發(fā)；五金產(chǎn)品零售；模具銷售；電器輔件銷售；電力設(shè)施器材銷售；電工儀器儀表銷售；電工器材銷售；儀器儀表銷售；辦公設(shè)備銷售；辦公設(shè)備耗材銷售；辦公用品銷售；日用百貨銷售；機械設(shè)備銷售；超導(dǎo)材料銷售；密封用填料銷售；密封件銷售；高性能密封材料銷售；橡膠制品銷售；塑料制品銷售；文具用品批發(fā)；文具用品零售；金屬材料銷售；金屬制品銷售；金屬工具銷售；環(huán)境保護設(shè)備銷售；生態(tài)環(huán)境材料銷售；集成電路設(shè)計；集成電路芯片設(shè)計及服務(wù)（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動）的發(fā)展和創(chuàng)新，打造高指標(biāo)產(chǎn)品和服務(wù)。江蘇芯鉆時代電子科技有限公司主營業(yè)務(wù)涵蓋IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器，堅持“質(zhì)量保證、良好服務(wù)、顧客滿意”的質(zhì)量方針，贏得廣大客戶的支持和信賴。