貴州可控硅模塊

來源: 發(fā)布時間:2023-02-22

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離,具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。IGBT功率模塊是電壓型控制,輸入阻抗大,驅(qū)動功率小,控制電路簡單,開關(guān)損耗小,通斷速度快,工作頻率高,元件容量大等優(yōu)點。實質(zhì)是個復(fù)合功率器件,它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點于一體化。又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低,開關(guān)頻率高(可達(dá)20khz),這兩點非常顯著的特性,**近西門子公司又推出低飽和壓降(2.2v)的npt-IGBT性能更佳,相繼東芝、富士、ir,摩托羅拉亦已在開發(fā)研制新品種。當(dāng)速晶閘管模塊承受反向陽極電壓時,無論柵極電壓如何,晶閘管都會關(guān)閉。貴州可控硅模塊

2、熱限制熱限制就是我們脈沖功,時間比較短,它可能不是一個長期的工作點,可能突然增加,這個時候就涉及到另外一個指標(biāo),動態(tài)熱阻,我們叫做熱阻抗。這個波動量會直接影響到IGBT的可靠性,就是壽命問題。你可以看到50赫茲波動量非常小,這個壽命才長。3、封裝要求封裝要求主要體現(xiàn)在外部封裝材料上面,在結(jié)構(gòu)上面,其實也會和封裝相關(guān),因為設(shè)計的時候會布局和結(jié)構(gòu)的問題,不同的設(shè)計它的差異性很大。4、可靠性要求可靠性問題,剛才說到結(jié)溫波動,其中**擔(dān)心就是結(jié)溫波動以后,會影響到這個綁定線和硅片之間的焊接,時間久了,這兩種材料本身之間的熱抗系數(shù)都有差異,所以在結(jié)溫波動情況下,長時間下來,如果工藝不好的話,就會出現(xiàn)裂痕甚至斷裂,這樣就會影響保護(hù)壓降,進(jìn)一步導(dǎo)致ICBT失效。第二個就是熱循環(huán),主要體現(xiàn)在硅片和DCB這個材料之間,他們之間的差異性。如果失效了以后,就分層了,材料與材料之間特性不一樣,就變成這樣情況的東西,這個失效很明顯。陜西模塊工業(yè)化當(dāng)集-射極電壓UCE<0時,J3的PN結(jié)處于反偏,IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。

    圖2是本實用新型的非絕緣雙塔型二極管模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。其中1—底板,2—上過渡層,3—二極管芯片,4一下過渡層,5—連接橋,6—主電極,61—過孔,7—絕緣體,8—軟彈性膠,9一外殼,91一定位凹槽,具體實施方式見圖1所示的非絕緣雙塔型二極管模塊,包括底板l、二極管芯片3、主電極6以及外殼9,底板1采用鍍鎳銅板或其它導(dǎo)電板,而二極管芯片3的下端面通過下過渡層4固定連接在底板1上,二極管芯片3的上端面通過上過渡層2與連接橋板5的一側(cè)固定連接,上過渡層2和下過渡層4均是能與二極管芯片3、底板1以及連接橋板5連接的鉬片、鎢片或可伐片等,通過上、下過渡層使二極管芯片3可靠地與底板1和連接橋板5連接,該連接可采用焊接或粘接等固定方式,特別是鉬片的熱膨脹系數(shù)接近于二極管芯片,減少熱應(yīng)力。本實用新型的連接橋板5是具有兩個以上折彎的條板,如圖2所示,連接橋板5具有三折,且連接橋板5為兩端平板中部凸起的梯形;或連接橋板5為兩端平板且中部凸起弓形;連接橋板5也可以是多折,彎折后的連接橋板5能吸收和釋放機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力,連接橋板5的另一側(cè)通過絕緣體7固定在底板1上,該絕緣體7是兩面涂有或覆有金屬層的陶瓷片,可采用燒結(jié)或鍵合工藝制造。

    本實用新型涉及變流技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種igbt模塊。背景技術(shù):目前,國外標(biāo)準(zhǔn)型的igbt模塊是由igbt(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與fwd(二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的igbt模塊直接應(yīng)用于變頻器、ups不間斷電源等設(shè)備上;igbt模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點,隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn),此類產(chǎn)品在市場上越來越多見。然而,這種igbt模塊的成本較高,嚴(yán)重制約了國內(nèi)變流技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展。為了解決國外標(biāo)準(zhǔn)型igbt模塊成本較高的問題,目前國內(nèi)出現(xiàn)了一種將igbt單管并聯(lián)后形成igbt模塊的方案,這種igbt模塊與國外相同技術(shù)參數(shù)規(guī)格下的標(biāo)準(zhǔn)型igbt模塊相比,成本要低15%~20%,進(jìn)而能夠促進(jìn)國內(nèi)變流技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展;但是,這種igbt模塊中的各igbt單管一般由螺釘固定在安裝板上,這就**降低了igbt模塊的生產(chǎn)效率。技術(shù)實現(xiàn)要素:有鑒于此,本實用新型實施例提供一種igbt模塊,能夠提高igbt模塊的生產(chǎn)效率。本實用新型實施例提供一種igbt模塊,包括安裝板、以及布置在所述安裝板上側(cè)的igbt單管,所述安裝板上還連接有具有彈性的壓緊件,所述壓緊件將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上??蛇x的。光控晶閘是通過光信號控制晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通的器件,它具有很強(qiáng)的抗干擾能力。

提到可控硅模塊,人們都會想到它是一種類似于二極管的東西,但是詳細(xì)作用往往不是特別了解,尤其是在電路中的作用更是知之甚少,下面,正高電氣就在給你普及一下相關(guān)知識,詳細(xì)講解可控硅模塊在電路中的作用??煽毓柙陔娐分械淖饔靡话阌袃煞N,主要是可控整流和無觸點開關(guān)。可控整流:一般來說,普通的可控硅模塊在電路中的用途就是可控整流,像大家都比較熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,如果能夠?qū)⒍O管換成可控硅模塊,就能夠構(gòu)成可控整流電路、逆變、電機(jī)調(diào)速、電機(jī)勵磁、無觸點開關(guān)機(jī)自動控制等多個方面的應(yīng)用。在電工技術(shù)中,經(jīng)常將交流電的半個周期為180度,稱為電角度,這樣在U2的每個正半周,從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度成為控制角α;在每個正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯,α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?,改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實現(xiàn)了可控整流。IGBT其外部有三個電極,分別為G-柵極,C-集電極,E-發(fā)射極。遼寧質(zhì)量模塊

當(dāng) 晶閘管模塊 開啟時,只要有一定的陽極電壓,無論門極電壓如何,晶閘管保持開啟,在晶閘管開啟后失去功能。貴州可控硅模塊

IGBT是一種功率晶體管,運(yùn)用此種晶體設(shè)計之UPS可有效提升產(chǎn)品效能,使電源品質(zhì)好、效率高、熱損耗少、噪音低、體積小與產(chǎn)品壽命長等多種優(yōu)點。IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電。它有陰極,陽極,和控制極。關(guān)斷的時候其阻抗是非常大的基本是斷路,接通的時候存在很小的電阻,通過接通或斷開控制極來控制陰極和陽極之間的接通和關(guān)斷。在安全上面,主要指的就是電的特性,除了常規(guī)的變壓電流以外,還有RBSOA(反向偏置安全工作區(qū))和短路時候的保護(hù)。這個是開通和關(guān)斷時候的波形,這個是相關(guān)的開通和關(guān)斷時候的定義。我們做設(shè)計時結(jié)溫的要求,比如長期工作必須保證溫度在安全結(jié)溫之內(nèi),做到這個保證的前提是需要把這個模塊相關(guān)的應(yīng)用參數(shù)提供出來。這樣結(jié)合這個參數(shù)以后,結(jié)合選擇的IGBT的芯片,還有封裝和電流,來計算產(chǎn)品的功耗和結(jié)溫,是否滿足安全結(jié)溫的需求。貴州可控硅模塊

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