青海模塊工業(yè)化

來源: 發(fā)布時間:2022-10-31

早在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件??煽毓枘K從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類;從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機(jī)模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。從用電端來看,家用白電、 微波爐、 LED照明驅(qū)動等都對IGBT有大量的需求。青海模塊工業(yè)化

圖1 光電耦合器驅(qū)動電路  推薦使用的光電耦合器有: HCPI,-4505、HCPL-4506、TI.P759 (IGM)、TLP755 等。一般情況下,光電耦合器要符合UI。、VDE 等安全認(rèn)證。同時比較好使光電耦合器和IGBT控制端子間的布線盡量短。由于光電耦合器兩端間常加有大的du/出,因此,光電耦合器兩端的布線不要太靠近以減小其間的耦合電容。在使用15V的直流電源組件時,電源輸出側(cè)的GND端子不要互聯(lián),并盡量減少各電源與地間的雜散電容,同時還應(yīng)當(dāng)確保足夠大的絕緣距離(大于2mm)。光電耦合器輸入用的10μF及0.1μF濾波電容主要用于保持控制 電壓平穩(wěn)和使線路阻抗穩(wěn)定??刂菩盘栞斎攵伺cVcc端應(yīng)接20kΩ的上拉電阻,在不使用制動單元時,也應(yīng)該在DB輸人端與Vcc端之間接20Ω的上拉電阻,否則,du/dt過大,可能會引起誤動作。  自動化模塊銷售公司所有超快恢復(fù)二極管芯片,主電極,內(nèi)連接線和氮化鋁陶瓷覆銅板均設(shè)置在塑料外殼內(nèi)。

盡管我國擁有比較大的功率半導(dǎo)體市場,但是目前國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與國際大公司相比還存在很大差距,特別是IGBT等器件差距更加明顯。技術(shù)均掌握在發(fā)達(dá)國家企業(yè)手中,IGBT技術(shù)集成度高的特點(diǎn)又導(dǎo)致了較高的市場集中度。跟國內(nèi)廠商相比,英飛凌、三菱和富士電機(jī)等國際廠商占有的市場優(yōu)勢。形成這種局面的原因主要是:1、國際廠商起步早,研發(fā)投入大,形成了較高的壁壘。2、國外制造業(yè)水平比國內(nèi)要高很多,一定程度上支撐了國際廠商的技術(shù)優(yōu)勢。中國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展必須改變目前技術(shù)處于劣勢的局面,特別是要在產(chǎn)業(yè)鏈上游層面取得突破,改變目前功率器件領(lǐng)域封裝強(qiáng)于芯片的現(xiàn)狀??偟膩碚f,在技術(shù)差距方面有:高鐵、智能電網(wǎng)、新能源與高壓變頻器等領(lǐng)域所采用的IGBT模塊規(guī)格在6500V以上,技術(shù)壁壘較強(qiáng);IGBT芯片設(shè)計制造、模塊封裝、失效分析、測試等IGBT產(chǎn)業(yè)**技術(shù)仍掌握在發(fā)達(dá)國家企業(yè)手中。近幾年中國IGBT產(chǎn)業(yè)在國家政策推動及市場牽引下得到迅速發(fā)展,已形成了IDM模式和代工模式的IGBT完整產(chǎn)業(yè)鏈,IGBT國產(chǎn)化的進(jìn)程加快,有望擺脫進(jìn)口依賴。受益于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等各種利好措施,I希望國產(chǎn)IGBT企業(yè)能從中崛起。

一種晶閘管模塊組件。能解決現(xiàn)有的晶閘管組件存在的問題。包括散熱單元、晶閘管電路單元、絕緣單元,散熱單元包括下散熱器、上散熱器、緊固螺栓;晶閘管電路單元包括下電極、芯片、第二陰極壓塊、陰極壓塊、導(dǎo)電塊、第二芯片、第二導(dǎo)電塊、上電極;絕緣單元包括絕緣膠體、絕緣殼體、絕緣陶瓷、絕緣套管、絕緣件,絕緣膠體包裹在自導(dǎo)電塊及第二導(dǎo)電塊中下部開始經(jīng)過陰極壓塊、第二芯片、芯片、第二陰極壓塊、下電極至下散熱器上,絕緣膠體橫向外側(cè)由絕緣殼體包裹,下電極與下散熱器之間的縫隙由絕緣陶瓷填充,下電極的左側(cè)通過絕緣件隔離,緊固螺栓外側(cè)套接所述絕緣套管。結(jié)構(gòu)簡單新穎,操作及使用方便且實(shí)用性強(qiáng)。1965年,小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn),為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎(chǔ)。

下面正高電氣來說說壓接式可控硅模塊和焊接式可控硅模塊的區(qū)別有哪些?①從電流方面來講,焊接式可控硅模塊可以做到160A電流,同時壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A,這就是講低于160A的模塊,不只是有焊接式的,同時也有壓接式的。 ②從外形方面來講,焊接式的可控硅模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有壓接式的外形比較好,壓接式的屬于一體成型,技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn),焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡,但是在使用的時候是沒有任何的影響的。③眾所周知,壓接式可控硅模塊的市場占有率是非常大的,有不少的公司都會使用壓接式可控硅模塊,這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀,除此之外從價格方面來講,焊接式可控硅模塊的成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)要比壓接式可控硅模塊的成本低。IGBT模塊在電動汽車中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。廣東模塊類型

若柵-射極電壓UGE>Uth ,柵極溝道形成,IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)(正常工作)。青海模塊工業(yè)化

IGBT各世代的技術(shù)差異回顧功率器件過去幾十年的發(fā)展,1950-60年代雙極型器件SCR,GTR,GTO,該時段的產(chǎn)品通態(tài)電阻很??;電流控制,控制電路復(fù)雜且功耗大;1970年代單極型器件VD-MOSFET。但隨著終端應(yīng)用的需求,需要一種新功率器件能同時滿足:驅(qū)動電路簡單,以降低成本與開關(guān)功耗、通態(tài)壓降較低,以減小器件自身的功耗。1980年代初,試圖把MOS與BJT技術(shù)集成起來的研究,導(dǎo)致了IGBT的發(fā)明。1985年前后美國GE成功試制工業(yè)樣品(可惜后來放棄)。自此以后,IGBT主要經(jīng)歷了6代技術(shù)及工藝改進(jìn)。青海模塊工業(yè)化

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