河北醫(yī)療器械氮化鈦產(chǎn)品介紹

在深亞微米(0.15μm及以下)集成電路制造中，后段工藝日趨重要，為降低阻容遲滯(RCDelay)，保證信號(hào)傳輸，減小功耗，有必要對(duì)后段工藝進(jìn)行改進(jìn)，Via阻擋層MOCVD(Metal-organicChemicalVaporDeposition，金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積)TiN是其中重要研究課題之一。本論文基于薄膜電阻的理論分析，從厚度、雜質(zhì)濃度和晶體結(jié)構(gòu)三大薄膜電阻影響因素出發(fā)系統(tǒng)研究MOCVDTiN材料在平面薄膜上和真實(shí)結(jié)構(gòu)中的各種性質(zhì)，重點(diǎn)是等離子體處理(PlasmaTreatment，PT)下的晶體生長(zhǎng)，制備循環(huán)次數(shù)的選擇對(duì)薄膜雜質(zhì)濃度、晶體結(jié)構(gòu)及電阻性能的影響，不同工藝薄膜在真實(shí)結(jié)構(gòu)中物理形貌、晶體結(jié)構(gòu)和電阻性能的表現(xiàn)和規(guī)律，超薄TiN薄膜(＜5nm)的實(shí)際應(yīng)用等。俄歇能譜、透射電子顯微鏡和方塊電阻測(cè)試證明PT作用下雜質(zhì)濃度降低，同時(shí)晶體生長(zhǎng)，薄膜致密化而電阻率降低。PT具有飽和時(shí)間和深度，較厚薄膜需多循環(huán)制備以充分處理，發(fā)現(xiàn)薄膜厚度較小時(shí)(本實(shí)驗(yàn)條件下為4nm)，增加循環(huán)次數(shù)雖然進(jìn)一步降低了雜質(zhì)濃度，但會(huì)引入界面而使薄膜電阻率增加。通過(guò)TEM觀測(cè)發(fā)現(xiàn)由于等離子體運(yùn)動(dòng)的各向異性，真實(shí)結(jié)構(gòu)中PT效率在側(cè)壁遠(yuǎn)低于頂部和底部，這導(dǎo)致側(cè)壁薄膜在PT后更厚。氮化鈦具有良好導(dǎo)電性、高熔點(diǎn)、高硬度及耐磨耐酸堿腐蝕等特性，在開(kāi)發(fā)高耐用的催化劑載體領(lǐng)域具應(yīng)用前景。河北醫(yī)療器械氮化鈦產(chǎn)品介紹

口腔是有生物化學(xué)和電化學(xué)因素影響的復(fù)雜環(huán)境，具有較強(qiáng)的腐蝕性。因而對(duì)應(yīng)用于口腔中的金屬材料也提出了更高的要求。在磁性附著體的研究及臨床應(yīng)用中，我們發(fā)現(xiàn)磁性附著體在口腔中長(zhǎng)期使用后所出現(xiàn)的腐蝕和磨損是導(dǎo)致磁性附著體的固位力下降的主要原因，也是影響磁性附著體遠(yuǎn)期應(yīng)用效果的主要問(wèn)題。進(jìn)一步提高磁性附著體的耐腐蝕性和耐磨損性是解決這一問(wèn)題的適合途徑。近年來(lái)，隨著當(dāng)今各種鍍膜技術(shù)，如化學(xué)氣相沉積(chemicalvapordepositionCVD)、物物理相沉積(physicalvapordepositionPVD)、等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(physicalchemicalvapordepositionPCVD)、激光輔助化學(xué)氣相沉積(laserchemicalvapordepositionLCVD)、離子鍍(ionplateIP)和離子束輔助沉積技術(shù)(ionbeamassisteddepositionIBAD)等不斷完善和發(fā)展，使具有高硬度、高耐磨性、良好耐腐蝕性的氮化鈦納米膜在國(guó)際和國(guó)內(nèi)都得到了適合研究與應(yīng)用?；窗布佑驳仚z測(cè)氮化鈦有較高的導(dǎo)電性可用作熔鹽電解的電極以及點(diǎn)觸頭、薄膜電阻等材料。

1.氯化鈦的超導(dǎo)臨界溫度較高，可作為優(yōu)良的超導(dǎo)材料。氮化鈦的熔點(diǎn)高于大多數(shù)過(guò)渡金屬氮化物，密度低于大多數(shù)金屬氮化物，從而成為一種獨(dú)特的耐火材料。氮化鈦可以作為一種膜鍍?cè)诓Ａ?，在紅外線(xiàn)反射率大于75%的情況下，當(dāng)?shù)伇∧ず穸却笥?0nm時(shí)能有效提高玻璃的保溫性能。另外，調(diào)整氮化鈦中氮元素的百分含量，可以改變氮化鈦薄膜的顏色，從而達(dá)到理想的美觀效果。氮化鈦(TiN)是相當(dāng)穩(wěn)定的化臺(tái)物，在高溫下不與鐵、鉻、鈣和鎂等金屬反應(yīng)，TiN坩堝在CO與N2氣氛下也不與酸性渣和堿性渣起作用，因此TiN坩堝是研究鋼液與一些元素相互作用的優(yōu)良容器。TiN在真空中加熱失去氮，生成氮含量較低的氮化鈦。TiN有著誘人的金黃色、熔點(diǎn)高、硬度大、化學(xué)穩(wěn)定性好、與金屬的潤(rùn)濕小的結(jié)構(gòu)材料、并具有較高的導(dǎo)電性和超導(dǎo)性，可應(yīng)用于高溫結(jié)構(gòu)材料和超導(dǎo)材料。

黃金能保持光澤如初,經(jīng)久不變的寶貴特性;自古以來(lái)做為貨幣使用,并成為財(cái)富和永恒的象征.因而,在人們心中喚起深刻的美感,雍雅華貴,燦爛眩目的金色,成為傳統(tǒng)的普遍受人偏愛(ài)的色彩.為了裝飾的目的,人們希望在各種基材的物品上獲得金色的表面,仿金技術(shù)便成為表面處理工作者們不懈研討的課題. 在眾多的仿金工藝中,近年發(fā)展起來(lái)的離子沉積氮化鈦(TiN)工藝具有突出的優(yōu)點(diǎn).TiN涂層的膜結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,不會(huì)變色;它特別耐磨,因此,足以保持被裝飾件的金色外觀于始終;另外它所消耗的原材料廉價(jià);加工過(guò)程中無(wú)污染公害.這些優(yōu)點(diǎn)自然引起各方面的濃厚興趣.國(guó)內(nèi)在近十幾年內(nèi)迅速開(kāi)展了對(duì)離子沉積氮化鈦的研究和推廣應(yīng)用.TiN涂層已被廣泛應(yīng)用于航空、工模具、電子等加工領(lǐng)域，并且在刀具、模具等方面有力推動(dòng)了制造業(yè)的發(fā)展。

在鎂碳磚中添加一定量的TiN，可以明顯提高鎂碳磚的抗渣侵蝕性。1)氮化鈦是優(yōu)良的結(jié)構(gòu)材料，可用于蒸汽噴射推進(jìn)器和火箭等。在軸承和密封圈領(lǐng)域也大量使用氮化鈦合金，強(qiáng)調(diào)了氮化鈦的應(yīng)用效果。2)基于氮化鈦的優(yōu)異導(dǎo)電性，可以制作各種電極和點(diǎn)接觸等材料。3)氮化鈦具有高超導(dǎo)臨界溫度，可作為優(yōu)良的超導(dǎo)材料。4)氮化鈦熔點(diǎn)高于許多過(guò)渡金屬氮化物，密度低于許多金屬氮化物，是一種獨(dú)特的耐火材料。5)氮化鈦可以作為一種膜鍍?cè)诓Ａ?，紅外反射率大于75%時(shí)，氮化鈦薄膜厚度大于90nm時(shí)，可以有效提高玻璃的保溫性能。另外，通過(guò)調(diào)整氮化鈦中的氮含量，可以改變氮化鈦薄膜的顏色，達(dá)到理想的美觀。氮化鈦具有熔點(diǎn)高，化學(xué)穩(wěn)定性好硬度大導(dǎo)電、導(dǎo)熱和光性能好等良好的理化性質(zhì)。嘉興加硬氮化鈦價(jià)格

在鎂碳磚中添加一定量的TiN能夠使鎂碳磚的抗渣侵蝕性得到很大程度的提高。河北醫(yī)療器械氮化鈦產(chǎn)品介紹

氮化鈦具有耐腐蝕性強(qiáng)、抗氧化性好、化學(xué)穩(wěn)定性高以及電導(dǎo)性好等優(yōu)點(diǎn)。本文以陽(yáng)極氧化法制得的納米TiO2薄膜、多孔結(jié)構(gòu)和納米管材料為前驅(qū)體,通過(guò)氨氣高溫還原氮化法制得了納米氮化鈦薄膜、多孔結(jié)構(gòu)和納米管材料。XRD和EDS分析結(jié)果表明,三種納米結(jié)構(gòu)氮化鈦的化學(xué)組分均只含Ti、N兩種元素,且前驅(qū)體TiO2已經(jīng)被完全轉(zhuǎn)化為氮化鈦,主要以TiN相和Ti2N相存在。SEM結(jié)果表明,高溫氮化得到的三種納米結(jié)構(gòu)氮化鈦仍保持了前驅(qū)體的微觀結(jié)構(gòu),氮化鈦多孔結(jié)構(gòu)和納米管均具有有序陣列特征,納米管管徑和孔道直徑均小于100nm,TiN薄膜表面具有很多大小不均的突起顆粒。四探針?lè)y(cè)試得到三種納米氮化鈦的電阻率約為5.0×l0-7?·m,顯示了很好的電子導(dǎo)電性。恒電位階躍測(cè)試得到氮化鈦納米管的真實(shí)表面積為1591.2cm2,多孔結(jié)構(gòu)為366.3cm2,薄膜為125.8cm2。采用線(xiàn)性伏安曲線(xiàn)和Tafel曲線(xiàn)研究了制備得到的三種納米結(jié)構(gòu)氮化鈦電極在硫酸溶液中的電化學(xué)析氫性能。研究表明,雖然三種TiO2前驅(qū)體具有較大的比表面積,但由于其導(dǎo)電性較差,導(dǎo)致析氫過(guò)電位高,而形成氮化物后則能顯著提高其析氫能力。氮化鈦納米管電極真實(shí)表面積比較大,且高度有序的納米管陣列結(jié)構(gòu),具有比氮化鈦薄膜和多孔結(jié)構(gòu)更好的析氫電催化活性。河北醫(yī)療器械氮化鈦產(chǎn)品介紹

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